Tranzisztor technológiai innováció: Az új technológia több mint kétszer növelheti a hűtési kapacitást!

A félvezető eszközök egyre növekvő miniatürizálásával olyan kérdések merültek fel, mint például a megnövekedett teljesítménysűrűség és a hőtermelés, ami befolyásolhatja ezen eszközök teljesítményét, megbízhatóságát és élettartamát. A gyémánton lévő gallium -nitrid (GAN) ígéretes kilátásokkal rendelkezik, mint a következő generációs félvezető anyag, mivel mindkét anyag széles sávú bandákkal rendelkezik, amelyek lehetővé teszik a nagy vezetőképességet és a gyémánt nagy hővezetőképességét, és kitűnő hőeloszlású szubsztrátként helyezik el őket.
A jelentések szerint az Osaka Metropolitan Egyetem kutatócsoportja a Föld leghőbbebb természetes természetes anyagát, a Gallium -Nitrid (GaN) tranzisztorok létrehozásához használt Diamond -ot, amely a hagyományos tranzisztorok hőeloszlási képességének több mint kétszerese. A legfrissebb kutatások során az Oszaka Public University tudósai sikeresen gyártották a GaN nagy elektronmobilitási tranzisztorokat, amelyek szubsztrátként gyémántot használnak. Ennek az új technológiának a hőeloszlási teljesítménye több mint kétszerese a szilícium -karbid (SIC) szubsztrátokon gyártott hasonló alakú tranzisztoroké. Jelentősen csökkenti az interfész hőállóságát és javítja a hőeloszlás teljesítményét.